半導体、マイクロエレクトロニクス、ストレージ

電子線後方散乱回折（EBSD）は、より高分解能の透過 Kikuchi 回折（TKD）と共に、半導体およびマイクロエレクトロニクス産業において様々な用途に用いられています。多くの材料の電気的特性は、その微細構造、特に粒度、集合組織、粒界特性と本質的に結びついています。単一の EBSD または TKD 解析で、必要なすべての情報を、最も微細なナノ構造以外のすべての構造に適した分解能で提供できます。

この分野で最も一般的なアプリケーションは、はんだバンプまたはワイヤーボンディングの特性評価など、エレクトロニクスパッケージの分野です。しかし、EBSD は、薄膜中の転位の密度や種類の測定（発電や発光ダイオード用途の II-VI 半導体の貫通転位など）、メモリデバイスのナノ構造の理解のために使用できます。

この分野での EBSD および TKD の応用例には、以下が含まれます。

• はんだおよびはんだバンプ中の結晶相の分布の特性評価
• 故障予測のためのはんだのひずみ評価
• 集合組織、粒度、および境界の種類の測定、ならびに電気性能の関連付け
• ワイヤーボンディングの強度決定のための局所的な歪み検査
• GaN 薄膜における貫通転位の特性評価
• 3D NAND 型フラッシュメモリの高分解能 TKD 特性評価

はんだバンプの EBSD 解析

結晶相マップ（Cu - 赤、Sn - 紺、Ni - 水色、Ag3Sn - 黄、Cu3Sn - 橙、Eta Cu6Sn5 - 緑）。

Cu と Ni の一致サイト格子（CSL）粒界を強調した、方位マップ（IPF-Z カラーリング）

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